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DMG6602SVT
1
0.16
V GS = 4.5V
0.12
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 125°C
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 150°C
0.1
R DS(ON) ( Ω ) Ave @ V G =4.5V
R DS(ON) ( Ω ) Ave @ V G =10V
0.08
0.04
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 85°C
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 25°C
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ -55°C
0.01
0
4 8 12 16
20
0
0
2 4 6 8
10
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
2.4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
-50
10
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
2.0
1.6
1.2
I D = 250 μ A
I D = 1mA
8
6
V SD (V) @ V DS =0V T A = 25 ° C
4
0.8
0.4
2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMG6602SVT
Document number: DS35106 Rev. 6 - 2
4 of 10
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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